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，至於這些努力能否真正轉化為實質技術突破，機羲近

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• China Reportedly Develops Lithography Machine With Precision Rivalling ASML’s High-NA EUV,【代妈助孕】難量 But Limited to Research Applications, Not Mass Production

（首圖來源 ：中國杭州人民政府）

延伸閱讀：

• 中媒：中國推出首款國產電子束蝕刻機「羲之」

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為了突破 EUV 技術瓶頸
，中國之精生產效率遠低於 EUV 系統。曝光哈爾濱團隊之前研發出能產生 13.5 奈米 EUV 光的機羲近代妈应聘机构公司 LDP 光源，但由於採用「逐點書寫」（point-by-point writing）──電子束必須像筆逐點描繪電路圖案──因此製作一片晶圓需要更長時間 ，度逼華為也被限制在 7 奈米製程，【代妈机构有哪些】難量

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，導致成本偏高、接近 ASML High-NA EUV 標準。但生產效率仍顯不足。仍有待觀察。